特許
J-GLOBAL ID：200903047895159664
液晶表示装置用薄膜トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-173661
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026768
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタのオン電流の低減を抑制する一方で、チャネルを構成する半導体層におけるフォトキャリアの発生が要因とされる光オフ電流を抑制する。【解決手段】 TFTの半導体層104が、ゲート電極102上のチャネル長方向の一部分104aのチャネル幅方向の寸法が他の部分よりも小さくされていることにより、フォトキャリアの発生する面積が減少され、フォトキャリアの発生が抑制され、しかもゲート電極102、ドレイン電極106a、ソース電極106bによる電界制御が弱い領域がなくなるため、光オフ電流が低減される。また、半導体層104のソース電極及びドレイン電極近傍にゲート電極によって遮光されていないフォトキャリア領域109が設けられることで、ドレイン及びソースの各電極106a,106bと半導体層104のコンタクト抵抗が低く抑えられ、オン電流の低減が抑制される。
請求項（抜粋）：
液晶表示装置を構成する透明絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、アイランド状に加工した半導体層と、ドレイン電極及びソース電極が順次積層して形成された薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層の前記ゲート電極上のチャネル長方向の一部分のチャネル幅方向の寸法が他の部分よりも小さくされていることを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタ
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 618 C
, G02F 1/136 500
