半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039893
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】昇圧回路の駆動開始から電源ノードが高電圧に達するまでの時間を一定に保つことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】オシレータ3およびカウンタ4は、コンパレータ1の出力信号に基づいて、書込開始から昇圧回路117の出力電圧VBLが参照電圧VR0に達するまでの時間を検出する。クロック切換回路10は、その検出時間に応じた周波数のクロック信号を昇圧回路117に与える。データ「0」を書込むメモリセルMCの数に関係なく書込時間を一定に保つことができる。

請求項（抜粋）：

電源ノードに電荷を供給して予め定められた高電圧にするための昇圧回路を備えた半導体装置であって、前記電源ノードが前記高電圧よりも低い第1の参照電圧に達したことを検知して第1の信号を出力する第1の検知手段、前記昇圧回路の駆動開始から前記第1の信号が出力されるまでの時間を計測する計時手段、および前記計時手段の計時結果に基づいて、前記昇圧回路の駆動開始から前記電源ノードが前記高電圧に達するまでの時間が予め定められた時間になるように前記昇圧回路の電荷供給能力を制御する制御手段を備える、半導体装置。

IPC (7件)：

G11C 16/06 , G06F 1/04 301 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H02M 3/07

FI (5件)：

G11C 17/00 632 A , G06F 1/04 301 Z , H02M 3/07 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

高電圧発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-008542 出願人：三菱電機株式会社
上昇率を制御するチャージ・ポンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-040586 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-349524 出願人：株式会社東芝

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