特許
J-GLOBAL ID:200903047918845625
多層セラミック・キャパシタおよび金属バイアを製造する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-005300
公開番号(公開出願番号):特開平11-251172
出願日: 1999年01月12日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】 多層セラミック・キャパシタおよびキャパシタ60を製造する方法を提供する。【解決手段】 多層セラミック・キャパシタ60は、低誘電率を有する材料70を含む領域によって囲まれた信号バイア65を有している。信号バイア65と、低誘電率材料を囲む領域とは、高誘電率を有する材料62内に挿入されている。
請求項(抜粋):
多層セラミック・キャパシタであって、前記キャパシタ内の高誘電率を有する材料の中に設けられた信号バイアが、低誘電率材料を含む領域によって囲まれ、これにより、前記キャパシタが、高容量,低インダクタンスの構造となることを特徴とする多層セラミック・キャパシタ。
引用特許: