特許

J-GLOBAL ID：200903047920300113

光電子半導体チップに用いられる電気的なコンタクトならびに該電気的なコンタクトを製造するための方法

発明者： ヴィルヘルム シュタイン ,  ミヒャエル フェーラー ,  ヨハネス バウル ,  マティアス ヴィンター ,  アンドレアス プレッスル ,  シュテファン カイザー ,  ベルトルト ハーン ,  フランツ エバーハルト
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046959
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260178
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】高い反射率、半導体に対する良好なオームコンタクト、半導体上での良好な付着ならびにコンタクトを形成する層同士の良好な付着、良好な熱安定性、環境影響因子に対する高い安定性、ならびにはんだ付け可能性および構造化可能性の点ですぐれている、改善された電気的なコンタクトを提供する。【解決手段】光電子半導体チップ1の電気的なコンタクトが、金属または金属合金から成るミラー層2と、該ミラー層2の腐食を低減するための保護層3と、バリア層4と、付着媒介層5と、はんだ層8とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光電子半導体チップ(1)の電気的なコンタクトにおいて、 該電気的なコンタクトが、 -金属または金属合金から成るミラー層(2)と、 -該ミラー層(2)の腐食を低減するための保護層(3)と、 -バリア層(4)と、 -付着媒介層(5)と、 -はんだ層(8)と を有していることを特徴とする、光電子半導体チップの電気的なコンタクト。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 国際公開第02/19493号パンフレット
  
• 国際公開第01/47039号パンフレット
  
• 欧州特許出願公開第0926744号明細書
  

審査官引用 (2件)

• グラフ表現変換方法及びその装置、並びに自動配置方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147959   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036619   出願人：豊田合成株式会社