特許
J-GLOBAL ID：200903058368610406
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-036619
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220171
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】フリップチップ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、光の反射効率の優れた金属を正電極に用いる場合に、これらの金属の中にはマイグレーションを起こし易く、電極の材料としては向いていない金属がある。【解決手段】p型半導体側のコンタクト層に接続する銀(Ag)などからなる第1の金属層と、この第1の金属層の表面及びこの第1の金属層に覆われていないコンタクト層の表面を覆う第2の金属層とによりコンタクト層に接続する電極を形成した。また、第2の金属層のコンタクト層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第1の金属層の値よりも大きくした。また、第1の金属層または第2の金属層を複数の種類の金属により多層構造に形成することにより、コンタクト層に対する接合強度の強化を図った。これらの手段により、電極による光の反射効率が高く、寿命の長い発光素子が得られた。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、p型半導体側のコンタクト層に接続する第1の金属層と、この第1の金属層の少なくとも側面及びこの第1の金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面を覆う第2の金属層とにより前記コンタクト層に接続する電極を構成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 B
