特許

J-GLOBAL ID：200903047927127778

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 加藤 秀雄 ,  浅野 正通
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150700
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】オーバーイレーズ状態のメモリセルの適正動作の確保及びその状態にあるか否かのテストの適正化。【構成】第1の発明において、テストモードにおいては、行デコーダはいずれの行線も選択せず、且つ、各メモリセルのソースはグランドレベルにされる。この状態において、オーバーイレーズされたメモリセルが存在する場合には、このセルはブプレッション化していることから、デプレッションに応じて導通する。この導通に基づく列線の電位変化により、オーバーイレーズされたメモリセルがあることが検出される。列線の電位変化の検出には差動アンプが用いられ、テスト時には、列線の電位は、ダミー列線に与えられる参照電位と比較される。

請求項（抜粋）：

ソースと、ドレインと、浮遊ゲートと、制御ゲートとを有し、電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性メモリセルの複数を行及び列方向に配列して構成されるメモリセルアレイと、一の行方向に並ぶ複数の前記メモリセルの前記制御ゲートに共通接続された行線を複数有し、一の列方向に並ぶ複数の前記メモリセルの前記ドレインに共通接続された列線を複数及びダミー列線とを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記列線に供給される電位と前記ダミー列線に供給される電位とを比較して出力信号を発生する差動型センスアンプと、すべての前記メモリセルを非選択としたときに前記ダミー列線に基準電位を供給する基準電位供給手段を有し、この基準電位と非選択の前記メモリセルが接続された前記列線との電位を比較せしめ、前記列線の電位が所定の電圧以下の場合に、所定の出力信号を発生するテスト手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 303 ,  G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070291   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社