特許

J-GLOBAL ID：200903047932302901

多層配線構造を有する半導体装置

発明者： アンソニー ホッブス
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312186
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124565
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の上下配線層を接続するビアの断線防止に有効な配線構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置において、ビア13と接続する部位の配線11、11 ́の幅aに対するビア13の直径bの比(b/a比)が0.2〜20の範囲内に入るよう、部分的に幅を細くした配線を含むようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層と配線層を交互に積層し、絶縁層を貫通するビアによって上下の配線層を接続した多層配線構造を有する半導体装置であって、ビアと接続する部位の配線の幅aに対するビアの直径bの比が0.2〜20の範囲内に入るよう、部分的に幅を細くした配線を含むことを特徴とする半導体装置。

Fターム (17件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033NN11 ,  5F033NN34 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033UU04 ,  5F033WW01 ,  5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-044048
  
• 多層配線およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231936   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-044048