特許

J-GLOBAL ID：200903047966101204

半導体装置

発明者： 柳澤 暁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-198409
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028110
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】セル部の微細化と終端部の高耐圧化とを両立可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、電流を流すセル部2と、このセル部2を囲む終端部3とからなる電力用半導体装置である。半導体装置1には、半導体基板4と、半導体基板4上に形成された絶縁膜5とが設けられている。そして、終端部3における半導体基板4の上面は、セル部2における半導体基板4の上面よりも下方にあり、終端部3における絶縁膜5の厚さは、セル部2における絶縁膜5の厚さよりも厚い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電流を流すセル部及び前記セル部を囲む終端部からなる半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、 を備え、 前記終端部の少なくとも一部における前記半導体基板の上面は、前記セル部における前記半導体基板の上面よりも下方にあり、前記少なくとも一部における前記絶縁膜の厚さは、前記セル部における前記絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 657A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 終端構造及びトレンチ金属酸化膜半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-292502   出願人：ゼネラルセミコンダクター,インク.