終端構造及びトレンチ金属酸化膜半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292502
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217426
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】パワートレンチMOS素子の終端構造を開示する。【解決手段】MOS素子は、準備される半導体基板に応じて、ショットキーダイオード、IGBT、DMOSのいずれであってもよい。終端構造は、トレンチ220と、このトレンチ220の側壁にスペーサとして形成されたMOSゲート240と、スペーサ及び第2のトレンチ220の底面の一部を覆うように形成された終端構造酸化層245と、半導体基板の背面及び表面260にそれぞれ形成された第1及び第2の電極とを備える。トレンチは、アクティブ領域の境界から半導体基板の端部に亘って形成される。トレンチMOS素子は、アクティブ領域に形成される。IGBT及びDMOSの場合、第2の電極は、酸化層により、MOSゲートから分離される。一方、ショットキーダイオードの場合は、第2の電極はMOSゲートに接続される。

請求項（抜粋）：

トレンチ金属酸化膜半導体素子用の終端構造において、トレンチ金属酸化膜半導体素子が形成された活性領域と、該活性領域の境界から半導体基板の端部に亘って形成されたトレンチとを有する半導体基板と、上記トレンチの側壁にスペーサとして形成された金属酸化膜半導体ゲートと、上記スペーサ及び上記トレンチの底面の一部を覆うように形成された終端構造酸化層と、上記半導体基板の背面に第1の電極として形成された第1の導電層と、上記半導体基板の上記活性領域から上記スペーサを介して上記終端構造酸化層の一部に至る表面に第2の電極として形成された第2の導電層とを備える終端構造。

IPC (5件)：

H01L 29/872 , H01L 29/417 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 655

FI (8件)：

H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 655 F , H01L 29/48 F , H01L 29/48 E , H01L 29/50 J , H01L 29/50 B , H01L 29/50 U

Fターム (25件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD66 , 4M104DD72 , 4M104DD78 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104EE05 , 4M104EE14 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG11 , 4M104GG14 , 4M104GG15 , 4M104GG18 , 4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (3件)

縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-303981 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-060190 出願人：株式会社デンソー
電力用素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-274536 出願人：株式会社東芝

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