特許
J-GLOBAL ID：200903047966314577
不揮発性半導体記憶装置及び電圧・電流特性調整方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356009
公開番号（公開出願番号）：特開2002-163893
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】本発明は、リファレンスセルのVg-Id特性カーブの傾きを自由に調整してメモリセルのVg-Id特性カーブに一致させることが可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、同一のゲート電圧を印加される相互接続された複数のリファレンスセルトランジスタと信号線とを含みゲート電圧に応じて複数のリファレンスセルトランジスタに流れる電流を纏めた電流を信号線に流すリファレンス回路と、データを記憶するメモリセルを含むメモリセルアレイと、信号線に流れる電流とメモリセルアレイのメモリセルに対応する電流とを比較する比較回路と、ゲート電圧と信号線に流れる電流との間の電圧・電流特性の形状が、メモリセルの電圧・電流特性の形状に近づくように複数のリファレンスセルトランジスタの幾つかの閾値電圧を調整する閾値電圧設定回路を含む。
請求項（抜粋）：
同一のゲート電圧を印加される相互接続された複数のリファレンスセルトランジスタと信号線とを含み該ゲート電圧に応じて該複数のリファレンスセルトランジスタに流れる電流を纏めた電流を該信号線に流すリファレンス回路と、データを記憶するメモリセルを含むメモリセルアレイと、該信号線に流れる電流と該メモリセルアレイのメモリセルに対応する電流とを比較する比較回路と、該ゲート電圧と該信号線に流れる電流との間の電圧・電流特性の形状が、該メモリセルの電圧・電流特性の形状に近づくように、該複数のリファレンスセルトランジスタの幾つかの閾値電圧を調整する閾値電圧設定回路を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (5件)：
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD07
, 5B025AE08
