特許

J-GLOBAL ID：200903048012593200

半導体装置及びその製造方法

発明者： 愛場 喜孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080804
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258438
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】半田バンプ中の錫(Sn)と配線層を構成する銅(Cu)の相互の拡散を抑止して、配線基板への実装の信頼性及びパッケージ全体の信頼性の向上を図ることができる半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板11と、前記半導体基板11上に配設された配線層15と、前記配線層15を選択的に被覆する絶縁層14と、前記絶縁層14に設けられた開口部に於いて前記配線層15上に配設された金属層16と、前記絶縁層14に設けられた開口部に於いて前記金属層16上に配設された外部接続用電極17とを具備し、前記金属層16は、前記絶縁層14に設けられた開口部に於いて、前記絶縁層14と前記配線層15との間に延在して配設されてなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に配設された配線層と、 前記配線層を選択的に被覆する絶縁層と、 前記絶縁層に設けられた開口部に於いて前記配線層上に配設された金属層と、 前記絶縁層に設けられた開口部に於いて前記金属層上に配設された外部接続用電極とを具備し、 前記金属層は、前記絶縁層に設けられた開口部に於いて、前記絶縁層と前記配線層との間に延在して配設されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L23/12 501P ,  H01L21/92 602H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-273456   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187450   出願人：株式会社デンソー
• 電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231293   出願人：株式会社デンソー, 新光電気工業株式会社