半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-273456
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033131
出願日： 2003年07月11日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】半導体基板の一面に形成されたAl電極に対してはんだ付け用やワイヤボンディング用の金属電極を形成してなる半導体装置において、Al電極と金属電極との密着性を向上させる。【解決手段】半導体基板1の一面上のAl電極11の上に保護膜12が形成され、保護膜12に形成された開口部12aから臨むAl電極11の表面上には、金属電極13が形成され、開口部12aから臨むAl電極11の表面には、エッチングされてへこんだ凹部11aが形成されており、Al電極11のうちエッチングにより残った部分における膜厚dは、凹部の深さd’よりも大きいものであり、Al電極11には、Alよりもエッチングにおけるエッチングレートが小さい材料が設けられ、それにより、Al電極11におけるエッチングされた面は、エッチングレートが小さい材料にて凸部11bが構成された凹凸形状となっている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)と、前記半導体基板の一面上に形成されたアルミニウムからなるアルミニウム電極(11)と、前記アルミニウム電極の上に形成された保護膜(12)と、前記保護膜に形成された開口部(12a)と、前記開口部から臨む前記アルミニウム電極の表面上に形成された、はんだ付け用もしくはワイヤボンディング用の金属電極(13)とを備える半導体装置において、前記開口部から臨む前記アルミニウム電極の表面には、エッチングされてへこんだ凹部(11a)が形成されており、前記アルミニウム電極のうち前記エッチングにより残った部分における膜厚(d)は、前記凹部の深さ(d’)よりも大きいものであり、前記アルミニウム電極には、アルミニウムよりも前記エッチングにおけるエッチングレートが小さい材料が設けられており、前記アルミニウム電極における前記エッチングされた面は、前記エッチングレートが小さい材料にて凸部(11b)が構成された凹凸形状となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (1件)：

H01L21/60 301P

Fターム (5件)：

5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE12 , 5F044EE13 , 5F044EE21

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-305228 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-196140 出願人：株式会社デンソー
特開昭63-305532号公報

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