太陽電池

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138385
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】グリッド電極のn形拡散層とのオーミック性を良好にすると共に、電極を焼き付けるための焼成雰囲気があまり制限されない太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上に、この半導体基板とは異なる導電層を薄く形成して、受光面の近くにpn接合を形成した太陽電池において、前記受光面側の電極をTiもしくはその化合物と周期表第V族元素もしくはその化合物とを含むAgペースト材料で形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、この半導体基板とは異なる導電層を薄く形成して、受光面の近くにpn接合を形成した太陽電池において、前記受光面側の電極をTiもしくはその化合物と周期率表第V族元素もしくはその化合物とを含むAgぺースト材料で形成したことを特徴とする太陽電池。

Fターム (7件)：

5F051AA02 , 5F051DA03 , 5F051FA08 , 5F051FA10 , 5F051FA13 , 5F051GA04 , 5F051JA01

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体基板用電極ペースト
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-001006 出願人：第一工業製薬株式会社, 同和鉱業株式会社
特開昭59-011687
特開昭59-168668

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