特許
J-GLOBAL ID：200903048026761733
コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110683
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 陽極箔5と陰極箔6にセパレータ7、8を介在させて捲回したコンデンサ素子の誘電体層上にポリエチレンジオキシチオフェンからなる導電性高分子層を形成したコンデンサの製法において、高容量で特性の優れたコンデンサを容易に得ることを目的とする。【解決手段】 3,4-エチレンジオキシチオフェンと酸化剤と多価アルコールと水の溶媒を混合した溶液に含浸し化学重合により導電性高分子層を形成する。高濃度の重合溶液を高温で重合させることにより、導電性高分子層を緻密に形成し、周波数特性と容量達成率の優れたコンデンサを得ることができる。さらに上記混合溶媒を電解液として用いることにより誘電体層欠陥の修復能力が上がり耐電圧特性の優れたコンデンサが得られる。
請求項（抜粋）：
弁金属を含む誘電体酸化皮膜を形成した陽極と陰極にセパレータを介在させて巻回したコンデンサ素子を作製する工程と、多価アルコール及び水を含む溶媒にナフタレン環を持つスルホン酸系第二鉄である酸化剤及び3,4-エチレンジオキシチオフェンを混合した重合溶液に前記コンデンサ素子を含浸し、加熱重合により導電性高分子層を形成する工程を含むコンデンサの製造方法。
IPC (4件)：
H01G 9/028
, H01G 4/18 321
, H01G 9/048
, H01G 9/00
H01G 4/18 321
, H01G 9/02 331 H
, H01G 9/02 331 G
, H01G 9/04 316
, H01G 9/24 A
, H01G 9/24 B
5E082AA07
, 5E082AB04
, 5E082AB09
, 5E082EE03
, 5E082EE30
, 5E082EE35
, 5E082FF05
, 5E082FG04
, 5E082FG34
, 5E082FG37
, 5E082FG38
, 5E082KK02
, 5E082MM24
, 5E082PP06
, 5E082PP07
