特許
J-GLOBAL ID：200903048043628362
フラッシュメモリ及びそのデータ読み出し方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-157606
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031188
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】消去所要時間を長くすることなく過剰消去による誤読み出しをより低減する。【構成】フラッシュメモリセルアレイ20中の選択されたフラッシュメモリセルからデータを読み出している間、非選択のフラッシュメモリセルM11のコントロールゲート14に、フラッシュメモリセルM11のソース電位0Vよりも低い電位-2Vを印加するので、過剰消去によりフローティングゲート13が正に帯電していても、フローティングゲート13の電位が低下され、フラッシュメモリセルM11がオフになる。
請求項（抜粋）：
フラッシュメモリセルアレイ中の選択されたフラッシュメモリセルからデータを読み出している間、非選択のフラッシュメモリセルのコントロールゲートに、該フラッシュメモリセルのソース電位よりも低い電位を印加することを特徴とするフラッシュメモリのデータ読み出し方法。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 530 B
, H01L 29/78 371
