特許
J-GLOBAL ID：200903048047786256

プラズマ処理装置

発明者：
中村 誠一

中村 誠一 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176981
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099098
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【構成】 誘電体で構成された真空容器11の外側に対向電極12a、12bが配設され、真空容器11の内側中央部に試料台13が配設されたプラズマ処理装置において、恒温流体を循環させるための空洞部11aが真空容器11に形成されているプラズマ処理装置10。【効果】 真空容器11内壁の温度が付着膜の昇華温度より低い温度範囲になるように水の温度を設定することにより、プラズマの発生・消滅に伴って生じる真空容器11内壁の温度変動幅を小さくすることができ、真空容器11内壁に付着した付着膜が剥離してパーティクルになる防止することができる。また真空容器11内壁の温度が付着膜の昇華温度より高い温度範囲になるように水の温度を設定することにより、付着膜自体が真空容器11内壁に付着するのを防止することができ、パーティクルの発生を減少させることができる。
請求項（抜粋）：
誘電体で構成された真空容器の外側に対向電極が配設され、前記真空容器の内側中央部に試料台が配設されたプラズマ処理装置において、恒温流体を循環させるための空洞部が前記真空容器に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7件)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/31 C
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • ECRドライエツチング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-255178   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-289171
  • 特開平3-068773
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