特許
J-GLOBAL ID:200903048050064687
薄膜キャパシタ、薄膜キャパシタを含む複合受動部品、それらの製造方法およびそれらを内蔵した配線基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
尾身 祐助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-136846
公開番号(公開出願番号):特開2004-056097
出願日: 2003年05月15日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】フレキシブル基材のキュア温度よりも高い温度で誘電体薄膜を形成しても、誘電体薄膜発生する応力によって誘電体薄膜が破損することのないようにする。【解決手段】フレキシブル基材1上に、下部電極5、誘電体薄膜8および上部電極9が積層されている薄膜キャパシタにおいて、下部電極5が、前記絶縁基材と接する密着電極2と、前記誘電体薄膜と接する耐酸化電極4と、密着電極2と耐酸化電極4の間に設けられた、耐酸化電極よりも高いヤング率を有する材料からなる高弾性電極3と、を有する。高弾性電極3の膜厚は400nm以上とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
厚さが2μm以上100μm以下の基材上に、下部電極、誘電体薄膜および上部電極が積層されている薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極が、前記基材と接する第1の密着電極と、前記誘電体薄膜と接する耐酸化電極と、前記第1の密着電極と前記耐酸化電極の間に設けられた、前記耐酸化電極よりも高いヤング率を有する材料からなる高弾性電極と、を有することを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (3件):
H01G4/33
, H01G4/40
, H05K3/46
FI (6件):
H01G4/06 102
, H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 Q
, H05K3/46 T
, H01G4/40 A
Fターム (60件):
5E082AA20
, 5E082AB10
, 5E082BC33
, 5E082DD02
, 5E082DD08
, 5E082EE05
, 5E082EE18
, 5E082EE19
, 5E082EE23
, 5E082EE27
, 5E082EE37
, 5E082EE39
, 5E082EE45
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG27
, 5E082FG42
, 5E082GG11
, 5E082GG28
, 5E082JJ02
, 5E082JJ06
, 5E082JJ23
, 5E082KK08
, 5E082LL15
, 5E082MM09
, 5E082PP09
, 5E346AA02
, 5E346AA04
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA17
, 5E346AA42
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346BB20
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC31
, 5E346CC57
, 5E346CC58
, 5E346DD02
, 5E346DD03
, 5E346DD12
, 5E346DD22
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346EE02
, 5E346EE09
, 5E346EE12
, 5E346EE13
, 5E346EE31
, 5E346FF12
, 5E346FF45
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG18
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH22
, 5E346HH24
引用特許:
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