特許

J-GLOBAL ID：200903048109537223

半導体装置およびその製造方法、回路基板およびその製造方法

発明者： 梅本 光雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-252186
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067216
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】 半田等の接合材との接続信頼性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置10Aは、半導体基板11の上面に活性領域20が形成され、この活性領域は酸化物が埋め込まれたトレンチ24により囲まれている。また、活性領域と電気的に接続された貫通電極16は、半導体基板の上面から裏面まで延在している。ここで、貫通孔16の下端は、半導体基板11の裏面を被覆する絶縁膜27よりも下方に突出している。従って、半田等の接合材を用いて半導体装置10Aを実装する際に、外部に突出する貫通電極16が接合材に埋め込まれて、接続信頼性が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に形成された活性領域と、 前記半導体基板を厚み方向に貫通して設けた貫通孔と、 前記貫通孔の内部に形成されて前記活性領域と電気的に接続され、且つ、前記半導体基板の他主面まで延在する貫通電極とを具備し、 前記貫通電極は前記半導体基板の他主面よりも外部に突出することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L21/88 J ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/88 T

Fターム (32件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN30 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ23 ,  5F033VV07 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置用インターポーザー、その製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-140836   出願人：新光電気工業株式会社