絶縁膜の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177193
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330322
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：

【要約】【目的】ステップカバレージと成膜速度の向上を得ることを目的とする。【構成】一対の電極の一方の電極に配置された基体上に酸化珪素膜を形成する方法であって、一対の電極の間隔を10mm以下とし、成膜雰囲気としてエトキシ基を有する有機シランであるTEOSガスと酸素ガスとの混合雰囲気を用い、さらにこの混合雰囲気に電磁エネルギーと紫外線のエネルギーを与えることによって、ステップカバレージと成膜速度の向上を得る。

請求項（抜粋）：

平行平板型の一対の電極の一方の電極に配置された基体上に酸化珪素膜を成膜する方法であって、前記一対の電極の間隔は15mm以下であって、成膜雰囲気として、エトキシ基を有する有機シランと酸素とを含む雰囲気を用い、前記雰囲気には、電磁エネルギーと紫外線のエネルギーとが供給され、成膜後に加熱しながら紫外線のエネルギーを供給し、アニールすること、を特徴とする絶縁膜の作製方法。

IPC (5件)：

C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (5件)

ゲート絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179994 出願人：株式会社ジーテイシー
特開昭61-227173
特開昭60-204880

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