特許

J-GLOBAL ID：200903048137954247

半導体装置とその製造方法、及び駆動装置

発明者： 高橋 健一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-169779
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204792
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 電気的特性のばらつきを抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 延長ドレイン拡散層103の中に、延長ドレイン拡散層内逆導電型拡散層108が形成された構造の半導体装置において、主ゲート電極102-1とは別に副ゲート電極102-2をも備えたことを特徴とする半導体装置が得られる。前記延長ドレイン拡散層はその先端が前記主ゲート電極と自己整合により形成されている。また、前記延長ドレイン拡散層内逆導電型拡散層は前記主ゲート電極と前記副ゲート電極との間に自已整合により形成されている。

請求項（抜粋）：

延長ドレイン拡散層の中に、延長ドレイン拡散層内逆導電型拡散層が形成された構造の半導体装置において、主ゲート電極とは別に副ゲート電極をも備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 102 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-107876
  
• デュアルゲート半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-017128   出願人：富士電機株式会社