特許

J-GLOBAL ID：200903048141683495

バリヤメタル層及びその形成方法

発明者： 波多野 達夫 ,  村上 誠志
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283463
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 チタン下地膜に表面改質処理を施すことによりこの上層に形成されるチタンナイトライド膜との密着性を改善したバリヤメタル層を提供する。【解決手段】 下層のベース層4と上層の金属膜層8との間に介在されるバリヤメタル層18において、前記バリヤメタル層は、表面改質がなされたチタン膜よりなるチタン下地膜20と、このチタン下地膜の表面に形成されたチタンナイトライド膜22により構成する。これにより、両膜間の密着性を向上させる。

請求項（抜粋）：

下層のベース層と上層の金属膜層との間に介在されるバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層は、表面改質がなされたチタン膜よりなるチタン下地膜と、このチタン下地膜の表面に形成されたチタンナイトライド膜よりなることを特徴とするバリヤメタル層。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-088754   出願人：富士通株式会社, 東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-323093   出願人：三菱電機株式会社