電解による成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：有近紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124803
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319597
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】電荷移動律速元素の平滑性に優れた薄膜を製造する。【構成】次の条件でパルスメッキを行なう。電解液には、電荷移動律速元素であるNiを含むNiSO4・6H2O(0.1mol/L)H3BO3(0.5mol/L)電解液を使用した。この電解液の水素イオン濃度はpH4であり、温度は25°Cである。なお、Lは1000cm3 を表わす。パルス電位Ehighは-2500mVとした。また、印加時間Thighは100μsとし、パルス電位印加時間比r(=Tlow/Thigh)=1とした。電析は、電析膜の膜厚が50nmになるまで行なった。【効果】ニッケル,鉄,コバルトなどの電荷移動律速元素の薄膜を水素痕なく製造することが出来る。また、低濃度溶液を使用することが出来るので、生産コストを低減できる。特に、ICリードフレーム、磁気ヘッド、コイルのコアなどの製造に有用である。

請求項（抜粋）：

電析反応での電荷移動過程が律速反応となる元素の膜を電解により得る成膜方法において、参照電極を基準として電位規制した定電位パルス電解法により薄膜を得ることを特徴とする電解による成膜方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-188294
特開平2-101192
特開昭52-036532

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