特許
J-GLOBAL ID:200903048173330071

異方性薄膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-047355
公開番号(公開出願番号):特開平10-226889
出願日: 1997年02月13日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 反磁性の異方性を有する粒子を磁場中で配向させて薄膜化することにより異方性のある薄膜を提供する。【解決手段】 鉄フタロシアニン顔料粒子等の反磁性の異方性を有する粒子が一定の秩序をもって配向されてなる異方性薄膜を得るために、無電解メッキ法を用いて製膜を行なう。製膜条件として、△x・H2>1.5kT(△x:粒子一個当りの反磁性の異方性、H:磁束密度,k:Boltzmann定数,T:絶対温度)が設定される。製膜方法の一例として、アゾベンゼン基を含む非イオン性界面活性剤,HCl,及び鉄フタロシアニンからなる分散液を遠心分離し、上ずみ液を採取し反応液とし、この液をAl14、ガラス基板16、ITO15が設置された反応セルに入れ、これを磁場中に設置し、スイッチ12によりショートさせ、ITO15上に鉄フタロシアニンが配向した薄膜を形成する。
請求項(抜粋):
反磁性の異方性を有する粒子が一定の秩序をもって配向されてなることを特徴とする異方性薄膜。
IPC (4件):
C23C 18/52 ,  C23C 30/00 ,  H01L 31/00 ,  C09B 47/04
FI (4件):
C23C 18/52 A ,  C23C 30/00 A ,  C09B 47/04 ,  H01L 31/00 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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