特許
J-GLOBAL ID：200903048193692328
アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315486
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144929
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス型表示装置において、画素マトリクス部と周辺駆動回路部とにおいて、必要とする特性を備えた薄膜トランジスタを選択的に配置する。【解決手段】 同一基板上に画素マトリクス部と周辺駆動回路部とを備えた構成において、画素マトリクス部と周辺駆動回路部のNチャネルドライバー部とには、非自己整合プロセスで形成されたソース及びドレイン領域108、110、111、113、さらに自己整合プロセスで形成された低濃度不純物領域127、130、131、133を備えたNチャネル型の薄膜トランジスタを形成する。また、周辺駆動回路部のPチャネルドライバー部には、低濃度不純物領域を形成せず自己整合プロセスのみによってソース及びドレイン領域134、136を形成したPチャネル型の薄膜トランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
同一基板上に画素マトリクス部と周辺駆動回路部とを配置した構成を有し、前記画素マトリクス部には、高濃度不純物領域のソースおよびドレイン領域と、チャネル領域とソースおよびドレイン領域との間にソース/ドレイン領域よりも低濃度の不純物領域をソース側とドレイン側の寸法が同じになるように有するNチャネル型の薄膜トランジスタが配置され、前記周辺駆動回路部には、高濃度不純物領域のソースおよびドレイン領域と、チャネル領域とソースおよびドレイン領域との間にソース/ドレイン領域よりも低濃度の不純物領域をソース側よりもドレイン側の寸法が大きくなるように有するNチャネル型の薄膜トランジスタと、前記低濃度の不純物領域を有さないPチャネル型の薄膜トランジスタと、が配置され、ていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 A
