特許
J-GLOBAL ID:200903048198905354
電子部品の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-016553
公開番号(公開出願番号):特開2003-218420
出願日: 2002年01月25日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 生産性の高い電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、基板1の表面に複数の電子素子13を形成する第一の工程と、前記電子素子13の外周に沿って前記基板1の表面側に溝9を形成する第二の工程と、基板1の裏面側から基板1の一部を前記溝9に到達するまで除去して前記複数の電子素子13を互いに分離する第三の工程を有するものである。
請求項(抜粋):
基板の表面に複数の電子素子を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、基板の裏面側から基板の一部を前記溝に到達するまで除去して前記複数の電子素子を互いに分離する第三の工程を有する電子部品の製造方法。
IPC (4件):
H01L 41/22
, H01L 41/08
, G01C 19/56
, G01P 9/04
FI (4件):
G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 41/22 Z
, H01L 41/08 Z
Fターム (4件):
2F105BB15
, 2F105CC01
, 2F105CD02
, 2F105CD06
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-052663
出願人:松下電子工業株式会社
審査官引用 (1件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-052663
出願人:松下電子工業株式会社
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