特許

J-GLOBAL ID：200903048202454710

面発光レーザとその製造方法、および、光通信システム

発明者： 山田 みつき
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  工藤 雅司 ,  谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-068879
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259951
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 高次横モードの抑制効果を高め、基本横モード光を高出力で出射することを可能とする面発光レーザとその製造方法、および、光通信システムを提供する。【解決手段】 基板上に、第1のDBR層、活性層、第2のDBR層、モード調整部が順次積層され、前記第1のDBR層または第2のDBR層と前記活性層の間に電流狭窄部を有する面発光レーザであって、前記第2のDBR層に接した第1の電極を有し、前記調整部と前記電流狭窄部の各々は、酸化領域と非酸化領域とを有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1のDBR層、活性層、第2のDBR層、モード調整部が順次積層され、前記第1のDBR層または前記第2のDBR層と前記活性層の間に電流狭窄部を有する面発光レーザであって、前記第2のDBR層に接した第1の電極を有し、前記モード調整部と前記電流狭窄部の各々は、酸化領域と非酸化領域とを有することを特徴とする面発光レーザ。

IPC (2件)：

H01S5/183 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01S5/183 ,  H01L21/316 S

Fターム (24件)：

5F058BA02 ,  5F058BB01 ,  5F058BF63 ,  5F173AC02 ,  5F173AC13 ,  5F173AC26 ,  5F173AC35 ,  5F173AC36 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AC61 ,  5F173AC63 ,  5F173AF65 ,  5F173AF72 ,  5F173AF94 ,  5F173AG07 ,  5F173AH02 ,  5F173AK22 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AR14 ,  5F173AR33 ,  5F173AR62 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 面発光半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-089393   出願人：古河電気工業株式会社
• 面発光レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153660   出願人：キヤノン株式会社