特許

J-GLOBAL ID：200903048210276384

不揮発性半導体記憶装置およびその制御方法

発明者： 上野 広貴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-344977
公開番号（公開出願番号）：特開2005-115982
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 1つのメモリセルを2値記憶方式および多値記憶方式で兼用することができる不揮発性半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルからのデータ読み出し動作において、メモリセルを2値記憶素子として使用する2値記憶方式の場合に、読み出し参照電圧Vrefを発生してこれを選択ワード線へ供給し、メモリセルをn値記憶素子(nは3以上の整数)として使用するn値記憶方式の場合に、(n-1)個の読み出し参照電圧Vr0〜Vr(n-2)(Vr0<Vr1<・・・<Vr(n-2))のうちいずれか1つを発生してこれを選択ワード線へ供給する参照電圧発生手段を有し、読み出し参照電圧Vrefは、読み出し参照電圧Vr0より高い電圧に設定されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え可能で、行および列方向に配置された複数の不揮発性メモリセルと、 前記不揮発性メモリセルにアクセスするために、前記不揮発性メモリセルを行方向に選択駆動する選択ワード線と、 前記不揮発性メモリセルからのデータ読み出し動作において、前記不揮発性メモリセルを2値記憶素子として使用する2値記憶方式の場合に、読み出し参照電圧Vrefを発生してこれを前記選択ワード線へ供給し、前記不揮発性メモリセルをn値記憶素子(nは3以上の整数)として使用するn値記憶方式の場合に、(n-1)個の読み出し参照電圧Vr0〜Vr(n-2)(Vr0<Vr1<・・・<Vr(n-2))のうちいずれか1つを発生してこれを前記選択ワード線へ供給する参照電圧発生手段を有し、 前記読み出し参照電圧Vrefは、 前記読み出し参照電圧Vr0より高い電圧に設定されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C16/06 ,  G11C16/02

FI (2件)：

G11C17/00 632Z ,  G11C17/00 641

Fターム (4件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-151367   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100148   出願人：株式会社東芝