特許

J-GLOBAL ID：200903048243646187

薄膜の形成方法

発明者： 見方 裕一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349741
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、低温領域での成膜をコストをかけない簡単な方法で達成することを最も主要な特徴とする。【構成】熱的なエネルギーのみを用いたCVD法における原料ガスにボロン化合物のガスを添加する。これによって原料ガスの半導体基板への吸着分解を促進させる。この結果、500°C以下の低温領域でも容易に成膜が可能になる。

請求項（抜粋）：

熱的なエネルギーのみを用いるCVD法にボロンを含むガスを添加した原料ガスを用いることにより半導体基板上にシリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-234440
  
• CVD法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182127   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-234440