特許

J-GLOBAL ID：200903048252945766

アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法

発明者： 藤井 壽崇 ,  加島 篤 ,  藤井 一宏 ,  岡本 巌 ,  二井 裕之
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344059
公開番号（公開出願番号）：特開平5-147938
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜型のコンデンサー素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提供する。【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )-酸化シリコン(SiO2 )-Pb5 Ge3 O11型化合物(A5 B3 O11)を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とする。(ただし、M2O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、A5B3 O11は強誘電性、反強誘電性または常誘電性を示すPb5 Ge3 O11型化合物である。)

請求項（抜粋）：

遷移金属酸化物(M2 O3 )-酸化シリコン(SiO2 )-Pb5 Ge3 O11型化合物(A5 B3 O11)を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とするアモルファス強誘電体酸化物材料。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、A5 B3 O11は強誘電性または反強誘電性を示すPb5 Ge3 O11型化合物である。)

IPC (6件)：

C01G 1/00 ,  C01B 13/14 ,  C01B 33/12 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 307 ,  H01G 7/06