特許
J-GLOBAL ID：200903048274512685
磁気抵抗効果メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293373
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 高密度化が容易な膜面に対して垂直に電流を流す磁気抵抗効果メモリにおいて、漏洩電流の発生による出力の減少が問題であった。【解決手段】 発明を構成する駆動部分を有しない磁気抵抗効果膜をメモリ素子とする固体メモリ、すなわち磁気抵抗効果メモリは、膜厚方向に検出電流を流す多層膜磁気抵抗効果膜の面積が上部センス線と下部センス線の交差部分の面積よりも大きいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜の上部および下部にそれぞれ互いに交差する複数本のセンス線を備え、上記磁気抵抗効果膜の面積は上記センス線の交差部分の面積よりも大きい単位素子を有し、検出電流が上記磁気抵抗効果膜の膜面に対して垂直に流れることを特徴とする磁気抵抗効果メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 F
, G11C 11/15
