特許
J-GLOBAL ID：200903076350690982

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子

発明者：
榊間 博

榊間 博 について

, 
入江 庸介

入江 庸介 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330010
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172212
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 微小磁界で大きな磁気抵抗変化が生じる磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリ-素子を可能とする。【解決手段】 図1(a)(b)に示すように[磁性膜3/非磁性膜2/磁性膜1]なる構造の磁気抵抗効果素子において、非磁性膜を導電体と絶縁体との混合物より構成することにより磁性膜1、3の磁気的結合を低減し高感度特性を実現し、かつ膜面垂直方向に電流を流して磁界を検知することが可能となるため、大きなMR変化率が得られる。これにヨ-クを付ければMRヘッドとして、又ワ-ド線等を付ければメモリ-素子が可能となる。
請求項（抜粋）：
磁界を印可することにより抵抗変化を示す[磁性膜/非磁性膜/磁性膜]なる構造の磁気抵抗効果素子において、非磁性膜が絶縁体と導電体との混合物より成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/30
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/30
引用特許：
審査官引用 (7件)
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