歪Si-SOI基板の製造方法及び該方法により製造された歪Si-SOI基板

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209753
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050984
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】歪Si層表面が平坦で欠陥が少なくかつ絶縁層上に歪Si層しか有しない歪Si-SOI基板を簡便に製造する。【解決手段】SOI基板10のSi層13上にSiGe混晶層14を形成し、SiGe混晶層上に保護膜16を形成する。絶縁層とSi層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、950°C以上で熱処理してSiGe混晶層14を溶融するとともにSi層13の一部にGeを拡散する。基板を降温して溶融したSiGe混晶層19を固化し、固化したSiGe混晶層19a及びGeがSi層の一部に拡散して形成されたSiGe混晶層20を保護膜16とともに除去して絶縁層12上の歪Si層13aを露出させた歪Si-SOI基板21を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a) Si基板(11)上に絶縁層(12)及びこの絶縁層(12)上に厚さ50nm以上の単結晶Si層(13)を有するSOI基板(10)を用意する工程と、 (b) 前記SOI基板(10)のSi層(13)上にSiGe混晶層(14)を形成する工程と、 (c) 前記SiGe混晶層(14)上に保護膜(16)を形成する工程と、 (d) 前記絶縁層(12)と前記Si層(13)の界面又は界面近傍にイオン濃度のピークが位置するように水素又はヘリウムのイオンを注入する工程と、 (e) 前記イオン注入した基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、950°C以上でシリコンの融点未満の温度で熱処理して前記SiGe混晶層(14)を溶融するとともに前記Si層(13)の一部にGeを拡散する工程と、 (f) 工程(e)の基板を降温して前記溶融したSiGe混晶層(19)を固化する工程と、 (g) 前記固化したSiGe混晶層(19a)及びGeがSi層の一部に拡散して形成されたSiGe混晶層(20)を保護膜(16)とともに除去して絶縁層(12)上の歪Si層(13a)を露出させる工程とを含むことを特徴とする歪Si-SOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/12

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L21/324 X , H01L27/12 R , H01L21/265 Q

Fターム (5件)：

5F052AA11 , 5F052DA03 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05

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