分布ブラッグ反射器とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218347
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065264
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】面型発光レーザでは、しきい値を低減するためには分布ブラッグ反射器(DBR)の高反射化が要求されるが、InP基板上にInP/GaPSbからなるDBRでは、GaPSbの組成が不安定となり、中心波長の制御が困難になる。【解決手段】 InP基板11に、1/4波長の光学長となるようにInP層12と、InPを含むGaPSb層13とを交互に積層してDBRを形成する。ここで、GaPSb層13中に、1分子層あるいは数分子層のInP層14が挿入される。GaPSbは下層の格子定数に一致される基板引き込み効果があるため、その格子定数がInP層に一致され、組成の安定化が図られる。これにより、中心波長の制御性が向上され、レーザのしきい値低減に寄与される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に屈折率の異なる半導体膜を1/4波長の光学長で交互に積層される分布ブラッグ反射器において、前記半導体膜の膜内に、基板と同じ材料もしくは基板と格子定数が一致された材料からなる一分子層あるいは数分子層の分子層が一層以上挿入されていることを特徴とする分布ブラッグ反射器。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体多層反射膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212524 出願人：日本電気株式会社
半導体多層反射膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-000644 出願人：日本電気株式会社

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