特許
J-GLOBAL ID:200903048329476179

基板からフローティングされたエアギャップを有する薄膜のバルク音響共振器及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-125809
公開番号(公開出願番号):特開2004-328739
出願日: 2004年04月21日
公開日(公表日): 2004年11月18日
要約:
【課題】 高抵抗基板を使用せずにも基板の誘電損失を低減しながら、基板のエッチングなしにエアギャップを形成できるようにすることによって、共振特性を向上させる。【解決手段】 半導体基板111の上部に積層され、エアギャップ130が形成された第1抵抗層112と、エアギャップ及び第1抵抗層の上面に沿って積層された第2抵抗層114と、エアギャップ上部に第2抵抗層の上面に積層されたメンブレン層116と、メンブレン層の上部に下部電極117・圧電層118・上部電極119が順に積層されて形成された共振器120と、を含む。【選択図】 図3k
請求項(抜粋):
半導体基板と、 前記半導体基板の上部に蒸着され、一部領域に凹部が形成された抵抗層と、 前記抵抗層の上部に積層され、前記抵抗層の凹部底面との間にエアギャップを形成するメンブレン層と、 前記メンブレン層の上部に形成された第1電極と、 前記第1電極が形成された前記メンブレン層の上部に形成された圧電層と、 前記圧電層の上部に形成された第2電極と を含むことを特徴とする薄膜のバルク音響共振器。
IPC (5件):
H03H9/17 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02
FI (5件):
H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H01L41/08 D ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z
Fターム (6件):
5J108AA07 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108KK02 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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