特許

J-GLOBAL ID：200903048371820750

プラズマCVD装置とそのドライクリーニング方法

発明者： 湯田 克久
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328022
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162957
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 CVD成膜時のプラズマダメージ低減効果を保ちながら、チャンバ内壁全体をドライクリーニング可能にする。【解決手段】 移動可能でそのプレート端周辺にプレートに垂直なシールド板を有する中間メッシュプレート電極4を有する。高周波印加電極16側のチャンバー内壁をドライエッチングクリーニングする場合は、高周波印加電極16と中間メッシュ電極4との間でエッチングガスプラズマを発生させてエッチングを行い、基板設置側のチャンバ内壁をドライエッチングクリーニングする場合は、中間メッシュ電極4を高周波印加電極17との間でグロー放電を発生できる位置まで移動させ、高周波印加電極17と中間メッシュ電極4との間でエッチングガスプラズマを発生させてエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

互いに平行な高周波印加電極とプラズマ分離用の中間メッシュプレート電極とで挟まれたプラズマ発生室、およびプラズマ発生室外に位置し、中間メッシュプレート電極と平行で被堆積基板が設置される対向電極をチャンバ内に有するプラズマCVD装置において、前記中間メッシュプレート電極が前記対向電極側および前記高周波印加電極側の双方向に移動可能であり、かつ前記対向電極に高周波が印加可能であることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 荷電粒子の遮断装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026455   出願人：株式会社日立製作所