特許

J-GLOBAL ID：200903048379559679

真空成膜装置および真空成膜方法

発明者： 宇津木 功二 ,  山本 博規 ,  宮地 麻里子 ,  三浦 環 ,  森 満博 ,  坂内 裕 ,  山崎 伊紀子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361709
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162999
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】所定のパターン形状を有する薄膜を制御性良く安定的に形成する技術を提供する。【解決手段】蒸発源(6a、6b)からの蒸発物をフレキシブル支持体1の目的の位置に真空成膜する際、シャッター(8a、8b)を開閉させ、遮蔽部材(9a、9b)の開口部を経由する蒸発物の移動を遮断する。これにより、所定の形状のパターンを有する薄膜をフレキシブル支持体1上に形成する。

請求項（抜粋）：

支持体上に所定のパターン形状を有する薄膜を形成する真空成膜装置であって、支持体を走行せしめる走行手段と、薄膜を構成する蒸発物質を含む蒸発源と、前記蒸発源から前記支持体への前記蒸発物質の移動を間歇的に遮断する遮断手段とを備え、前記遮断手段は、前記蒸発源と前記支持体との間に介在し、前記支持体と離間して設けられたことを特徴とする真空成膜装置。

IPC (3件)：

H01M 4/04 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/56

FI (3件)：

H01M 4/04 Z ,  C23C 14/04 Z ,  C23C 14/56 A

Fターム (21件)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DA13 ,  4K029DB04 ,  4K029DB14 ,  4K029FA07 ,  4K029HA00 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  5H050AA19 ,  5H050BA08 ,  5H050FA02 ,  5H050GA00 ,  5H050GA24 ,  5H050GA26 ,  5H050GA29 ,  5H050HA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭61-250837
  
• 特開昭59-089764
  
• 部分被膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239707   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭59-217233
  
• アクリロキシ基又はメタクリロキシ基含有クロロシランの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203852   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭62-103360
  
• 合成樹脂フィルム基板の製造装置、および合成樹脂フィルム基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-015011   出願人：株式会社リコー
• 非水電解液二次電池用電極の製造方法、製造装置、および電極ならびにこの電極を用いた非水電解液二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-045225   出願人：ソニー株式会社