特許
J-GLOBAL ID:200903048396824025
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-295676
公開番号(公開出願番号):特開2006-109286
出願日: 2004年10月08日
公開日(公表日): 2006年04月20日
要約:
【課題】スイッチング素子を強制的に遮断する際、誘導負荷に発生する過電圧を簡単な回路構成で抑制する技術を提供する。【解決手段】IGBT1(スイッチング素子)のゲートにゲート放電抵抗部101を接続する。タイマー回路7の出力がゲート放電抵抗部101及びゲート駆動回路9の入力に接続されている。タイマー回路7は、IGBT1をオン状態に駆動するオン信号の入力が所定時間以上継続すると、Hレベルの信号をゲート放電抵抗部101及びゲート駆動回路9に出力する。ゲート駆動回路9は、タイマー回路7からの信号に基づいてIGBT1をオフ状態に駆動する。ゲート放電抵抗部101は、抵抗値を抵抗4の抵抗値から抵抗4と抵抗5の合成抵抗で与えられる抵抗値に変更する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電流入力端子に誘導負荷が接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続されたクランプ素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・接地電位間に接続された放電抵抗部と、
を備え、
前記スイッチング素子を駆動することにより、前記誘導負荷に誘導起電圧を発生させる半導体装置であって、
前記スイッチング素子をオン状態に駆動するためのオン信号が所定時間以上入力されると、前記放電抵抗部に所定の信号を出力するタイマー回路をさらに備え、
前記放電抵抗部は、前記所定の信号に応答して、その抵抗値を大きな値に変更することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H03K 17/08
, F02P 3/055
, F02P 15/00
, H03K 17/28
, H03K 17/56
FI (5件):
H03K17/08 Z
, F02P3/055 C
, F02P15/00 303G
, H03K17/28 E
, H03K17/56 Z
Fターム (26件):
3G019BA01
, 3G019CC02
, 3G019CC13
, 3G019FA06
, 3G019FA11
, 3G019FA13
, 3G019FA26
, 5J055AX34
, 5J055AX55
, 5J055AX64
, 5J055BX16
, 5J055BX24
, 5J055CX13
, 5J055DX09
, 5J055EX01
, 5J055EY01
, 5J055EY13
, 5J055EY21
, 5J055EY26
, 5J055EZ00
, 5J055EZ16
, 5J055FX12
, 5J055FX17
, 5J055FX32
, 5J055GX01
, 5J055GX04
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
点火用半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-210910
出願人:富士電機株式会社
審査官引用 (2件)
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内燃機関用点火装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-162290
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
-
特開昭47-014540
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