特許
J-GLOBAL ID：200903048429003545

半導体受光素子及びその製造方法

発明者：
玉井 誠一郎

玉井 誠一郎 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209677
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032670
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 固体撮像素子に対する更なる高画質化及び低コスト化の要求に応えることを可能にする半導体受光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板と、エピタキシャル成長法及び気相成長法により半導体基板上に形成されたエピタキシャル層1とを有し、エピタキシャル層1は、第1のpn接合部2と、第1の絶縁層3と、第2のpn接合部4と、第2の絶縁層5と、第3のpn接合部6とが順次積層されてなり、第1のpn接合部2、第2のpn接合部4及び第3のpn接合部6は、結晶構造あるいは膜組成を変化させることでそれぞれ異なる禁制帯幅を有する構成となっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
入射光を光電変換する半導体受光素子であって、 積層された複数のpn接合部を備え、 前記複数のpn接合部は、それぞれ異なる禁制帯幅を有する ことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (3件)：
H01L31/10 D ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 A
Fターム (22件)：
4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA09 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GC07 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049MB05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049QA07 ,  5F049QA20 ,  5F049SZ07 ,  5F049SZ16
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • カラー固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-356765   出願人：オリンパス光学工業株式会社
審査官引用 (11件)
  • 特開平1-149488
  • 積み重ね型波長選択オプトエレクトロニクス装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-504018   出願人：アウグスト,カルロス・ジヨタ・エルリ・ペー
  • 受光素子及び光波長多重伝送装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-262521   出願人：シャープ株式会社
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