特許
J-GLOBAL ID：200903048440774804

薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
ダラム パル ゴサイン

ダラム パル ゴサイン について

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ジョナサン ウエストウォーター

ジョナサン ウエストウォーター について

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中越 美弥子

中越 美弥子 について

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碓井 節夫

碓井 節夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129363
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293878
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域をそれぞれ自己整合的に形成することができ、デバイスの動作速度が向上し、しかもプロセスに要する時間を大幅に短くできると共に基板内の不純物が混入する虞れがなく、更には水素化に要する時間も短くすることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 フォトレジスト膜に対してガラス基板10の裏面側から露光(裏面露光)を行う。このときゲート電極11がマスクとなりゲート電極11と同じ幅のフォトレジスト膜15のみが残存することとなる。フォトレジスト膜15を周縁部方向に延ばしたフォトレジスト膜15aをマスクとしてプラズマドーピングを行い非晶質シリコン薄膜14内にn型不純物16を導入させる。これによりソース領域14a、ドレイン領域14bおよびチャネル領域14cがそれぞれ自己整合的に形成される。その後、非晶質シリコン薄膜14にレーザビームを照射して結晶化させる。
請求項（抜粋）：
基板の表面にゲート電極を形成し、このゲート電極を含む前記基板上にゲート絶縁膜および非晶質シリコン膜をこの順で形成した後、前記非晶質シリコン膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記基板の裏面から前記ゲート電極をマスクとして前記フォトレジスト膜を露光して選択的に除去することにより前記ゲート電極に対応する領域にのみフォトレジスト膜を残す工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記非晶質シリコン膜内に選択的に不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域をそれぞれ形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去したのちレーザビームを照射することにより前記非晶質シリコン膜の結晶化を行う工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 N ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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