特許
J-GLOBAL ID：200903048444394950
半導体不揮発性メモリの書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122180
公開番号（公開出願番号）：特開平6-309881
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【構成】 半導体不揮発性メモリの書き換えに際し、書き込みと消去の動作を少なくとも一度行った後に、データに応じて選択的に書き込みを行う書き込み方法とする。【効果】 データリテンションのビット差をなくすことができ、また書き換えの大幅な高速化を達成できる。
請求項（抜粋）：
電気的に書き換え可能な半導体不揮発性メモリのデータの書き換えに際し、書き換えの対象となるアドレスのメモリセルのすべてを、一旦書き込み状態とし、次に消去状態とする動作を、少なくとも一度行った後、データに応じて選択的に書き込みを行うことを特徴とする半導体不揮発性メモリの書き込み方法。
引用特許：
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