特許

J-GLOBAL ID：200903048458915626

薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 今 真人
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316402
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123699
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】 室温成膜可能なアモルファス酸化物半導体であるInGaZnO4を主成分とする半導体の形成時に酸素流量の精密な制御をする必要がなく、再現性良く半導体を成膜することができ、薄膜トランジスタの歩留りの向上を可能とした薄膜トランジスタ料およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 SnをドープしたInGaZnO4ターゲットとし、フレキシブル基板上に、スパッタリング法によりSnドープInGaZnO4薄膜からなる活性層を形成することにより解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SnをドープしたInGaZnO4薄膜からなる活性層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/08

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C23C14/08 K

Fターム (35件)：

4K029AA11 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258269   出願人：キヤノン株式会社