特許
J-GLOBAL ID：200903048464095215
半導体形複合センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292359
公開番号（公開出願番号）：特開平11-132881
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】半導体形複合センサの歩留まり向上、測定精度,品質の向上,小形化を図る。【解決手段】シリコンチップ10の片面に、多層膜の表面デバイスプロセス処理により複数のダイアフラム形のセンサ素子11,12,13とセンサ信号処理回路15を形成する。信号処理回路15は、シリコンチップ10の中央に配置され、この信号処理回路15の周辺に複数のセンサ素子11,12,13を信号処理回路15を挾む形で配置する。シリコンチップ10のうちセンサ素子及び信号処理回路が形成されている側の面に台座20が接合され、この台座の接合領域をセンサ素子11〜13の周辺とし、信号処理回路15の周辺は非接合領域とする。
請求項（抜粋）：
シリコンチップの片面に、多層膜の表面デバイスプロセス処理により形成された複数のダイアフラム形のセンサ素子と前記センサ素子からの信号を処理する信号処理回路とが設けられ、且つ前記信号処理回路は、前記シリコンチップの中央に配置されて、この信号処理回路の周辺に前記複数のセンサ素子が配置されていることを特徴とする半導体形複合センサ。
引用特許：
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