特許
J-GLOBAL ID:200903048476720603
EL素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-526700
公開番号(公開出願番号):特表2007-506237
出願日: 2004年09月17日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
第1の型の電荷キャリアを注入するための第1の電極を提供すること、ホスト材料、及び下記式(I)の発光ドーパントモノマーを含む組成物を基板上に成膜することによりEL層を形成すること、下記式(I)のモノマーを重合することにより、EL層の少なくともある部分を溶媒に不溶にすること、EL層を溶媒にさらすこと、及びEL層上に第2の型の電荷キャリアを注入し得る第2の電極を成膜することを含むELデバイスを形成する方法。 A-C-(X)n (1) (式中、Xは重合可能な基を示し、Aは発光基を示し、Cは結合又はスペーサー基を示し、nは整数である。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
第1の型の電荷キャリアを注入するための第1の電極を含む基板を提供すること、
ホスト材料、及び下記式(I)の発光ドーパントモノマーを含む組成物を基板上に成膜することにより、表面を有するEL層を形成すること、
下記式(I)のモノマーを重合することにより、EL層の少なくともある部分を溶媒に不溶にすること、
EL層を溶媒にさらすこと、及び
EL層上に第2の型の電荷キャリアを注入し得る第2の電極を成膜すること
を含むELデバイスを形成する方法。
A-C-(X)n (I)
(式中、Xは重合可能な基を示し、Aは発光基を示し、Cは結合又はスペーサー基を示し、nは整数である。)
IPC (3件):
H05B 33/10
, H01L 51/50
, C09K 11/06
FI (4件):
H05B33/10
, H05B33/14 B
, C09K11/06 690
, C09K11/06 680
Fターム (16件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC04
, 3K107CC45
, 3K107DD53
, 3K107DD60
, 3K107DD67
, 3K107DD68
, 3K107DD69
, 3K107GG06
, 3K107GG21
, 3K107GG28
, 4H050AA01
, 4H050AA03
, 4H050AB92
, 4H050WB14
引用特許:
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