特許
J-GLOBAL ID:200903048491553179
有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-177814
公開番号(公開出願番号):特開2008-010541
出願日: 2006年06月28日
公開日(公表日): 2008年01月17日
要約:
【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機半導体材料、該有機半導体材料を含む有機半導体膜、該有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタ、及び該有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも一つのベンゼン環とこれに隣接した少なくとも2つの環からなる芳香族複素環が縮合した少なくとも3環以上の芳香族縮合環を部分構造として有し、且つ該芳香族縮合環にアルキル基またはアルキル基を有する置換基を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも一つのベンゼン環とこれに隣接した少なくとも2つの環からなる芳香族複素環が縮合した少なくとも3環以上の芳香族縮合環を部分構造として有し、且つ該芳香族縮合環にアルキル基またはアルキル基を有する置換基を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
FI (4件):
H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
Fターム (81件):
4C050AA01
, 4C050AA07
, 4C050BB04
, 4C050CC04
, 4C050EE02
, 4C050FF01
, 4C050HH01
, 4C050PA20
, 4C071AA01
, 4C071AA07
, 4C071AA08
, 4C071BB02
, 4C071BB03
, 4C071BB06
, 4C071BB08
, 4C071CC13
, 4C071CC23
, 4C071CC24
, 4C071CC25
, 4C071EE05
, 4C071EE13
, 4C071FF15
, 4C071FF23
, 4C071GG01
, 4C071HH05
, 4C071HH11
, 4C071JJ01
, 4C071LL10
, 5F110AA01
, 5F110AA14
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110DD17
, 5F110DD25
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE11
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK10
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ14
引用特許:
出願人引用 (5件)
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有機薄膜トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-215748
出願人:旭化成工業株式会社
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特開平4-167561号公報
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αヘキサチエニールを含む製品
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-039190
出願人:エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
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引用文献:
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