特許
J-GLOBAL ID：200903048494666160

半導体装置の製造方法

発明者：
鈴木 達也

鈴木 達也 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-042706
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200396
出願日： 2008年02月25日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】トランジスタの性能の低下を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】第一のトランジスタ11、第二のトランジスタ12、ゲート構造13を被覆する応力付与層16を設ける工程の前段で、第二のトランジスタ12上に他のシリコン酸化膜14を形成し第二のトランジスタ12上に所定の厚みのシリコン酸化膜18を形成する。第二のトランジスタ12及びゲート構造13上の応力付与層16を除去し第一のトランジスタ11上に応力付与層16を残す工程にて、第二のトランジスタ12上のシリコン酸化膜が第一のトランジスタ11上のシリコン酸化膜よりも過剰に薄くなってしまうことが防止される。第一のトランジスタ11及び第二のトランジスタ12上のシリコン酸化膜15,18等を除去する際に第二のトランジスタ12上のシリコン酸化膜が薄いため第二のトランジスタ12のソース領域、ドレイン領域が削れてしまうことを防止できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第一のトランジスタ、および、前記第一のトランジスタとは逆の導電型の第二のトランジスタを形成する工程と、 前記第一のトランジスタ、および前記第二のトランジスタを被覆するシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜上に、前記第一のトランジスタ、および前記第二のトランジスタを被覆し、前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジスタのうち、いずれか一方のトランジスタに応力を付与するための応力付与層を設ける工程と、 前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジスタのうち、いずれか他方のトランジスタ上の前記応力付与層を除去するとともに、前記一方のトランジスタ上に前記応力付与層を残す工程と、 前記一方のトランジスタおよび前記一方のトランジスタ上の前記応力付与層を熱処理する工程と、 前記一方のトランジスタ上の前記応力付与層を除去する工程と、 前記第一のトランジスタ、および前記第二のトランジスタを被覆する前記応力付与層を設ける前記工程の前段、 あるいは、 前記他方のトランジスタ上の前記応力付与層を除去するとともに、前記一方のトランジスタ上に前記応力付与層を残す前記工程と、前記一方のトランジスタ上の前記応力付与層を除去する前記工程との間で行われ、前記他方のトランジスタ上に他のシリコン酸化膜を形成して、前記他方のトランジスタ上に所定の厚みのシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジスタ上の前記シリコン酸化膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (4件)：
H01L27/08 321C ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 M ,  H01L27/08 321F
Fターム (36件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX19 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA30
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体デバイスでの2応力記憶技術
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-303401   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション, チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド, サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
  • 直接チャネル応力
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-193321   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
審査官引用 (2件)

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