特許

J-GLOBAL ID：200903056438365711

固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 斎藤 牧
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231011
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048894
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】 ゲート酸化膜への電荷のトラップを抑制でき、かつ微細化の容易な固体撮像素子を提供する。【解決手段】 本発明は、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記電荷転送電極が、第1層導電性膜からなる第1層電極と、第2層導電性膜からなる第2層電極とが交互に並置されてなり、前記第1層電極と前記第2層電極との間は、前記第1層電極の側壁を覆うようにCVD法によって形成された第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とからなるサイドウォール絶縁膜からなる2層構造の電極間絶縁膜で絶縁分離されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、 前記電荷転送電極が、前記半導体基板表面にゲート酸化膜を介して形成された、第1層導電性膜からなる第1層電極と、第2層導電性膜からなる第2層電極とが交互に並ぶように配置された固体撮像素子において、 少なくとも前記第1層電極下のゲート酸化膜が酸化シリコン膜で構成され、 前記第1層電極と前記第2層電極との間は、前記第1層電極の側壁を覆うように形成されたサイドウォール絶縁膜からなる電極間絶縁膜で絶縁分離されており、 前記サイドウォール絶縁膜が、前記第1層電極の側壁から前記ゲート酸化膜上を覆う第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とで構成された固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L 27/148

FI (1件)：

H01L27/14 B

Fターム (23件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA20 ,  4M118CA32 ,  4M118DA03 ,  4M118DA13 ,  4M118DA18 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA09 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 固体撮像素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-399760   出願人：ソニー株式会社
• 電荷転送装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-288445   出願人：松下電子工業株式会社
• 固体撮像素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-281721   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-095595   出願人：松下電子工業株式会社
• パターン構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-251725   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭50-099480