特許

J-GLOBAL ID：200903048504043698

光アシストパターン形成方法および装置

発明者： 南部 芳弘 ,  浅川 潔
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121300
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306876
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【目的】 光の回折限界以下の微細パターンを形成しうるようにする。【構成】 光ファイバー10はコア11とクラッド12の二重構造になっており、コアの中心部は中空部13となっている。光フアイバー10はピエゾ素子15に印加する電圧の制御によりその3次元的位置が制御される。光ファイバー10の他端には、チャンバー20が接続されている。チャンバー20の外部にはレーザ制御装置26により制御されるレーザ光源25が配置されている。レーザ光源25からの光出力はレンズ24によって集光され光ファイバー10の一端に導入される。入射光14は光ファイバー10の先端部においてエバネッセント光波18が発生する。チャンバー20にはガス貯蔵ボンベ21からエッチングガスまたは堆積原料ガスが導入され、ガスは光ファイバー10の中空部を通って先端部まで輸送され、基板16で反応を起こす。

請求項（抜粋）：

基板上の所望の位置にエバネッセント光波を照射し同時にエバネッセント光波照射位置に集束エッチングガス流または集束堆積原料ガス流を照射して当該エバネッセント光波照射位置にてエッチングまたは膜堆積を起こらせることを特徴とする光アシストパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 A ,  H01L 21/285 301 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-260125
  
• 光リソグラフィ方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-249138   出願人：株式会社日立製作所