特許
J-GLOBAL ID：200903048527742593
ファラデー回転子用単結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270047
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081693
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長時の溶液の温度制御をより精密に制御し、Biの置換量を増加させたたうえでエピタキシャル成長を行い磁性ガーネット単結晶を得る。【解決手段】 炉心管と、単結晶構成元素及びその酸化物の少なくとも一方とフラックスとを保持するルツボと、ルツボを炉心管内部の所定位置に支持する支持部と、炉心管の外周部に配置された発熱体とからなる単結晶成長装置において、炉心管の内径を110mm以下とした。
請求項（抜粋）：
液相エピタキシャル法に用いられ、炉心管と、単結晶構成元素及びその酸化物の少なくとも一方とフラックスとを保持するルツボと、前記ルツボを前記炉心管内部の所定位置に支持する支持部と、前記炉心管の外周部に配置された発熱体とからなる単結晶成長装置であって、前記炉心管の内径が110mm以下であることを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (2件)：
C30B 29/28
, G02F 1/09 501
C30B 29/28
, G02F 1/09 501
2H079AA03
, 2H079BA02
, 2H079CA06
, 2H079DA13
, 2H079DA22
, 4G077AA03
, 4G077BC25
, 4G077BC28
, 4G077CG02
, 4G077CG05
, 4G077EG25
, 4G077EH07
, 4G077HA01
, 4G077QA04
, 4G077QA11
, 4G077QA81
