薄型半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：千葉剛宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164471
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】全体厚さを有効的に低減し、基板の厚さを薄型化することによって、材料原価の低減を行い、ソルダマスク層を敷設不要な基板を提供することによって、コストの低減が可能な薄型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも一開孔部212を有する基板21と、アクチブサフェース200及び前記アクチブサフェース200に対向した非アクチブサフェース201を具え、前記アクチブサフェース200をベース層210に粘着した半導体チップ20と、前記半導体チップ20と前記コンダクチブトレース211の接続に用いる第1の導電素子と、前記半導体チップ20が外部との電気接続に供しうる第2の導電素子と、前記半導体チップ20を被覆する第1膠体部23、及びコンダクチブトレース211と第1の導電素子及び開孔部212を被覆する第2膠体部25とを具える。

請求項（抜粋）：

少なくとも一開孔部を有し、ベース体及び前記ベース体の一面に複数の接続電極を含む接続電極層を具えた基板と、電子回路と電子部材を含む作用面及び前記作用面に対して反対側と非作用面を具え、前記作用面を前記基板の前記ベース体の前記接続電極層の反対側の面上に接着した半導体チップと、前記開孔部を介して前記半導体チップと前記基板の前記接続電極層とを接続する第1の導電部材と、前記接続電極層に設けられ、前記半導体チップと外部との電気接続のための第2の導電部材と、前記基板のベース体の前記接続電極層の反対側の面と、前記半導体チップの少なくとも一部分を被覆する第1の封止部、及び前記基板の接続電極層と第1の導電部材及び開孔部を完全に被覆する第2封止部を具え、且つ、前記第2の導電部材の表面を前記第2の封止部の表面から露出させると共に、前記第2の導電部材の表面と第2の封止部の表面とを同一表面に形成したことを特徴とする薄型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 21/56 , H01L 21/60 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (5件)：

H01L 23/12 501 W , H01L 23/12 501 S , H01L 21/56 R , H01L 21/92 603 A , H01L 23/30 B

Fターム (8件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA21 , 4M109DB03 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA21 , 5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体チップパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-346344 出願人：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077972 出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
半導体パッケージの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-051537 出願人：日鉄セミコンダクター株式会社

前のページに戻る