特許
J-GLOBAL ID：200903048534460315

半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者：
佐々木 正義

佐々木 正義 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071146
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246252
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハが大口径化しても半導体製造装置の大型化を抑制し、半導体ウェハの安定的な処理も可能にする。【解決手段】 放電室23及び遮蔽板36によって半導体ウェハ14の一部の領域に対応する断面形状でプラズマを放射するので、半導体ウェハ14が大口径化しても放電室23を大型化させる必要がなく、また、プラズマ発生部の一部同士を移動させる必要がなくてプラズマを安定的に発生させることができる。また、半導体ウェハ14の被照射領域に排気口37が臨んでいるので、プラズマの流れが整流化されて均一な処理を容易に行うことができ、また、半導体ウェハ14が大口径化しても反応生成物を速やかに除去することができる。
請求項（抜粋）：
荷電粒子群を照射されて処理されるべき半導体ウェハを設置するための設置部と、前記荷電粒子群を発生させ且つ前記半導体ウェハの一部の領域に対応する断面形状で放射するための発生部と、前記設置部と前記発生部とを相対的に移動させて、前記設置部に設置される前記半導体ウェハの全部の領域に、前記発生部から放射された前記荷電粒子群を照射するための移動部と、前記設置部に設置される前記半導体ウェハのうちで前記荷電粒子群の被照射領域に臨む排気部とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 C ,  H05H 1/46 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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